近日，拓荆科技总投资近18亿元的高端半导体设备产业化基地完成主体结构封顶，2028年投用后，沈阳总部基地每年最大产能规模将超过千台。拓荆科技主攻芯片制造三大核心装备之一的薄膜沉积设备及三维集成设备，近年迈入高速发展通道。资本市场同频共振，2022年于科创板上市的拓荆科技已成长为东北地区市值最大的A股公司。
　　完成从0到1的突破、从1到10的成长之后，拓荆科技已踏上从10到100的跨越征途。“我们不盲目追求大而全的平台，会把有限研发资源集中在真正‘专而强’的领域，纵向把薄膜沉积主赛道做深做透，筑牢基本盘，直至国际一流水平；同时，沿着薄膜、三维集成技术同源的方向稳步延伸。”拓荆科技董事长吕光泉告诉中国证券报记者。
　　● 本报记者 欧阳春香 吴科任
　　乘风破浪
　　填补国内产业空白
　　2014年，拥有20多年半导体设备技术研发与管理经验的吕光泉加入了2010年成立的拓荆科技。
　　“彼时，国内集成电路制造刚起步，芯片制造三大核心设备当中，薄膜沉积领域几乎完全被海外巨头垄断，国内几乎没有可以量产落地的本土整机方案，国内晶圆厂主要依赖进口设备。但同时，国内半导体拥有广阔市场空间，产业要实现跨越式自主发展，既离不开政策支持，也需要一批掌握前沿技术的产业人才来推动关键设备的产业化突破。”这是吕光泉当时看到的国内产业环境的AB面。
　　薄膜沉积设备所沉积的薄膜是芯片结构内的功能材料层，在芯片制造过程中需求量巨大，且直接影响芯片的性能。伴随芯片制程不断微缩，沉积工艺精度要求也不断提升。可见，薄膜沉积设备之于晶圆厂的价值量和重要性之高，使得切换设备厂商谈何容易。
　　“那个时候去找资本也好，让客户认可也好，非常困难。”吕光泉此前参加一档节目时说。
　　路上虽有荆棘，也要拔剑向前。首台12英寸PECVD出厂到客户端验证、首台12英寸ALD出厂到客户端、首台量产型3D NAND PECVD出厂到客户端……在一个个“首台”“首单”突破的接力下，拓荆科技不仅为自己，也为自主产业，拼出了一条生路。
　　吕光泉认为，近10余年国内集成电路产业的跨越式进步，是全产业链上下游共同攻坚、协同发力的结果，拓荆科技只是其中一环。“公司实现了PECVD等核心设备整机从0到1，再到大规模量产落地，填补国内高端PECVD、ALD、沟槽填充CVD等核心薄膜设备的产业化空白，让国内晶圆厂在核心制造装备上拥有了更多选择。以整机研发与量产需求为牵引，带动一批国内零部件供应商共同成长，推动上游配套产业技术迭代。”
　　踏实深耕
　　始终锚定自主研发
　　随着先进制程领域的产品核心竞争力显著提升，拓荆科技的业务规模实现大幅增长。今年上半年，公司实现营业收入29.13亿元，同比增长49.06%；扣非净利润3.67亿元，同比增长861.92%。回看“十四五”时期，公司年营业收入从7.58亿元增至65.19亿元，复合增长率高达71.80%；年度扣非净利润从-0.82亿元增至7.23亿元。
　　“从内部来看，拓荆前期十余年的技术积累进入收获期，PECVD主力产品完成全场景验证实现规模化出货，ALD、沟槽填充CVD等新品类陆续落地，三维集成键合设备完成前瞻布局，产品矩阵的完善支撑了业绩的持续增长。同时，我们的产能与供应链体系同步建设，沈阳、上海双基地的布局保障了交付能力，跟上了市场需求的节奏。”剖析“十四五”以来的成绩时，吕光泉说，外部政策与资本的双重加持也很关键。
　　追本溯源，吕光泉认为，拓荆科技取得的阶段性成功，核心是公司始终锚定自主研发战略。“我们要掌握自主可控的核心技术，稳扎稳打地开展研发，这样可以保持产品的创新性，并逐步拓展产品系列。”吕光泉说，“公司常年保持高强度的研发投入，从PECVD单一品类逐步拓展至覆盖全系列薄膜沉积、三维集成设备的产品矩阵，靠持续技术突破构建核心壁垒。”
　　据记者统计，2021-2025年及2026年上半年，拓荆科技研发费用合计31.12亿元，总体研发强度为16.64%。截至6月底，公司研发人员856人，占公司员工总数的41.78%。
　　技术源于人才。吕光泉坦言：“人才竞争激烈是国内半导体行业高速发展阶段客观存在的现实。我们会关注，但不过度焦虑。公司一方面引进海内外高端专家；另一方面搭建内部人才梯队，大量从高校招收应届生，系统培养本土青年研发力量，公司研发人员占比长期维持较高水平。半导体设备是长周期行业，单纯高薪挖人可以引进个体人才，但很难直接复制整套技术积累、整机集成技术与团队协作体系。”
　　“我们布局多条前沿产品线，有大量真实客户端工艺验证机会，工程师可以参与国内稀缺的高端设备从研发到量产的全流程，能看到技术成长空间。”吕光泉介绍公司科研文化时说，“半导体设备研发离不开反复试错，我们包容合理范围内的技术试错，鼓励技术人员踏实深耕，不追求短平快。通过完善全国多地办公配套，兼顾不同地域人才诉求。”
　　上市以来，拓荆科技实施了多期股权激励计划，惠及千余名员工，分享企业成长红利。
　　步履不停
　　奋力追赶国际巨头
　　敢于与国际大厂同台竞技，国内头部半导体设备公司跃跃欲试。拓荆科技也不例外。
　　吕光泉认为，拓荆科技有三个比较优势：一是细分赛道的本土先发优势。作为国内薄膜沉积设备大规模量产的厂商，公司量产机台的技术水平已达国际同类产品先进水平，产品进入全国约100条产线；二是深度协同的定制化能力。长期伴随国内头部晶圆厂同步技术迭代，能够针对客户的特色工艺需求快速响应，定制化开发工艺配方与设备功能；三是本土化的成本与服务响应优势。公司设备交付及时、售后服务响应速度快，同时拥有更具竞争力的综合成本，在成熟制程扩产中优势尤为明显。
　　短板也很清晰。“国际巨头经过几十年积累，拥有更强的核心技术，产品线更加完备，在全球客户布局、前沿先进制程长期技术沉淀、部分高端零部件生态上，依然具备优势。”吕光泉说。
　　在吕光泉看来，需要多路径形成合力，而非单点突围。拓荆科技将坚持研发高强度投入不动摇，且落到核心技术突破上；联合研发攻坚核心元器件，掌握供应链主动权；探索三维集成技术，以期实现先进逻辑全链条的技术突破；搭建全球化能力体系，在服务好国内客户的同时稳步拓展国际市场。
　　落地有声。今年，拓荆科技联合产业链企业出资设立辽宁聚芯智能装备创新中心有限公司，重点围绕应用于先进制程领域的高端装备新产品、新技术的需求，开展关键零部件的技术开发、验证与应用，逐步完善半导体装备产业集群，降低全产业链的协同成本。
　　“先进制程、先进存储、三维集成等新兴领域的发展空间依然广阔，叠加AI算力、存储芯片扩容带来的新增需求，为设备行业打开了长期成长空间。”吕光泉预判，“‘十五五’期间，公司的增长趋势会得到延续，要用好这个时机，实现竞争力跃升。”