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　　成都华微电子科技股份有限公司（以下简称“公司”）研发的超低功耗RISC-V MCU于近日成功发布。现将相关事项公告如下：
　　一、新产品的基本情况
　　公司研发的HWD01001型超低功耗RISC-V MCU集成了公司自主设计的32位RISC-V内核，结合多层次低功耗设计技术，进而实现超低功耗性能。该款产品的正式发布为下游客户轻量化、低功耗、低延迟、小型化的需求提供了系统化的解决方案。
　　该款MCU集成的32位RISC-V内核，采用3级流水设计，最高工作频率20MHz，支持硬件乘法和除法指令，在Standby模式下可在150us内快速唤醒，待机功耗小于1uA，内置64KB eFlash，8KB SRAM存储单元，工作电压1.8V~3.6V，支持提供丰富外设接口USART x2、LPUART x1、SPI x1、I2C x1、CAN 2.0 x1，支持12bits 1MSPS ADC和DAC，内置比较器，提供QFN20（3mm x 3mm）和QFN28(4mm x 4mm)多种封装形式。
　　在应用市场方面，该款创新产品可广泛用于轻量化低功耗物联网终端设备、可穿戴设备、环境感知设备和工业监测设备等。
　　二、对公司的影响
　　超低功耗RISC-V MCU的发布是公司持续技术创新和市场拓展的重要节点。未来，公司将继续加大在集成电路领域的研发投入，不断推出更多具有自主知识产权的创新产品，以满足客户对集成电路产品小型化、低成本、低功耗的需求。
　　三、风险提示
　　本次公司推出的超低功耗RISC-V MCU尚处于市场导入初期，尚未实现规模化销售，存在市场需求不足、市场推广与客户开拓不及预期、客户验证失败等风险。公司尚无法预测新产品对公司当前及未来经营业绩的影响。敬请广大投资者理性投资，注意投资风险。
　　特此公告。
　　成都华微电子科技股份有限公司董事会
　　2025年8月12日