（上接A01版）“3D NAND的难点在于一层层叠上去的时候需要打洞把每一层连接起来，层数越多需要打的洞就越多，每一个单位都要打洞，数量可达几百万个。必须保证做到垂直地打洞，不能歪、不能斜，保持均匀。同时，一层一层叠上去的时候会产生压力，芯片的旁边会翘起来。所以，把洞打好和把翘起来的地方压下去、变平，这是最困难的地方。”长江存储执行董事长高启全此前接受中国证券报记者专访时介绍了3D NAND制造工艺的难点。

　　国内市场需求旺

　　长期以来，我国使用的存储芯片严重依赖进口。以2018年为例，根据智研咨询统计，我国集成电路进口额达3120亿美元。其中，存储芯片为1230亿美元，占集成电路进口总额的39%。

　　目前，长江存储、长鑫存储、福建晋华等3家国内厂商正奋力追赶。随着量产的推进，我国依赖进口的局面有望得到缓解。长鑫存储和福建晋华主攻DRAM，前者去年9月宣布内存芯片自主制造项目投产。

　　当下，长江存储产能为2万片/月，公司表示将尽早达成64层三维闪存产品月产能10万片，并按期（二期）建成30万片/月产能，提升国家存储器基地的规模效应。长江存储当前产能利用率达100%，已全员复工。

　　“长江存储128层系列产品具有广阔的市场应用前景。其中，128层QLC版本将率先应用于消费级SSD，并逐步进入企业级服务器、数据中心等领域，以满足未来5G、AI时代多元化数据存储需求。”长江存储市场与销售高级副总裁龚翊说。