□本报记者 吴科任 

　　长江存储科技有限责任公司（简称“长江存储”）8月7日发布了其突破性技术—XtackingTM。该技术将使得3D NAND闪存具备I/O高性能以及更高的存储密度，产品上市周期更短。

　　据介绍，采用XtackingTM技术，可在一片晶圆上独立加工负责数据I/O及记忆单元操作的外围电路，有利于选择合适的先进逻辑工艺，使得NAND获取更高的I/O接口速度及更强的操作功能。存储单元将在另一片晶圆上独立加工。当两片晶圆各自完工后，XtackingTM技术只需一个处理步骤就可将二者键合接通电路，且成本增加有限。

　　长江存储CEO杨士宁表示，“目前世界上最快的3D NAND的I/O速度目标值是1.4Gbps，大多数NAND供应商仅能供应1.0Gbps或更低的速度。利用XtackingTM技术，有望大幅提升NAND的I/O速度到3.0Gbps。”

　　在传统3DNAND架构中，外围电路约占芯片面积的20%-30%，降低了芯片的存储密度。随着3DNAND技术堆叠到128层甚至更高，外围电路可能占到芯片整体面积的50%以上。XtackingTM技术将外围电路置于存储单元之上，可实现更高的存储密度。

　　据悉，长江存储已成功将Xtacking TM技术应用于其第二代3DNAND产品的开发。该产品预计于2019年进入量产。

　　资料显示，长江存储成立于2016年7月，总投资额240亿美元，是一家集芯片设计、工艺研发、晶圆生产与测试、销售服务于一体的存储器解决方案企业。长江存储是紫光集团从“芯”到“云”生态产业链的重要组成部分。