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2017年07月04日 星期二 上一期  下一期
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纳思达股份有限公司

 证券代码:002180 证券简称:纳思达 公告编号:2017-073

 纳思达股份有限公司

 关于相变存储器PCRAM产业化进展的公告

 本公司及董事会全体成员保证信息披露内容的真实、准确和完整,没有虚假记载、误导性陈述或重大遗漏。

 近日,纳思达股份有限公司(以下简称“公司”)收到全资子公司珠海艾派克微电子有限公司(以下简称“艾派克微电子”)的通知,艾派克微电子、中国科学院上海微系统与信息技术研究所(以下简称“中科院上海微系统所”)以及中芯国际集成电路制造有限公司(以下简称“中芯国际”)在相变储存器(“PCRAM” ,Phase Change Random Access Memory)产业化获突破性进展,三方联合研发打印机用基于PCRAM耗材芯片,在130纳米技术节点取得了工程应用的突破,并成功批量生产与销售。

 这是继国家01专项(核心电子器件、高端通用芯片及基础软件产品)中的国产CPU成功在艾派克微电子产业化应用后,国家02专项(《极大规模集成电路制造技术及成套工艺》项目)中的重大存储器项目在艾派克微电子的参与下实现重大技术突破,并在艾派克微电子实现了产业化销售。

 PCRAM的写速度比传统EEPROM或FLASH非易失性存储器快1000倍,此技术的成功突破,将为公司带来良好的商业机会,并进一步提高公司的核心竞争力。

 特此公告。

 纳思达股份有限公司董事会

 二〇一七年七月四日

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