本公司及董事会全体成员保证公告内容的真实、准确和完整，没有虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏。

　天津中环半导体股份有限公司（以下简称“公司”）全资子公司天津市环欧半导体材料技术有限公司（以下简称“环欧公司”），承担的国家科技重大专项（02专项）“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”之《区熔硅单晶产业化技术与国产设备研制》（项目编号（2011ZX02706）项目（以下简称“项目”及“本项目”）,近日顺利通过专家组验收。

　本项目经专家组实地检查、现场测试、资料审查、内部验收及验收前的现场复查，验收会上专家听取了环欧公司承担的项目完成情况报告和现场测试组的验收测试报告，审阅了验收资料、进行了现场考察，经过专家组问询、讨论和逐项打分，认定项目已经完成了合同书中约定的各项考核指标，验收专家组一致同意项目通过验收。

　截至目前，通过项目的实施，建成了从区熔设备制造、单晶制备、硅片加工及IGBT设计和制作的国产IGBT产业链。其中，公司及子公司承担的课题获得了48项国家专利，已建成IGBT用区熔硅单晶产业化示范基地，具备年产36 吨区熔硅单晶及硅片加工能力，形成每月8万片6英寸IGBT 器件用抛光片和每月5万片8英寸IGBT 器件用抛光片生产能力；产品经国内外知名半导体公司客户认证，产品质量达到国际先进水平，并实现区熔硅单晶抛光片出口，成为全球第三、国内第一家能够批量提供8英寸区熔硅抛光片的公司。

　本项目完成后，打破了国外对大直径8英寸区熔硅单晶、设备市场的封锁和制造大直径IGBT器件用主要材料的垄断局面，为我国建立一条从原料、设备、器件生产的完整IGBT产业链，提高我国半导体整体装备和工艺水平，加快推进我国集成电路产业发展贡献力量。

　项目的顺利实施，表明公司大直径区熔硅单晶技术已进入产业化阶段，预计对公司未来业绩将产生积极影响。

　特此公告

　天津中环半导体股份有限公司

　董事会

　2017年5月3日