□本报记者 王荣

　据媒体报道，内存3月上旬合约价同步大涨，DRAM模块合约价大涨15-23％，NAND闪存芯片亦大涨10%，其中严重缺货的TLC芯片涨幅更高达57-58％。根据市调机构集邦科技调查，3月上旬DRAM市场主流的4GB模组合约均价达23美元，涨幅达16.46%；2GB模组产品，因正值世代交替阶段，供货更不稳定，带动合约均价攀高至13.75美元，涨幅超过20%。

　有券商分析认为今年以来DRAM及NAND价格持续调涨，除了市场需求转强外，最大原因仍在于上游DRAM及NAND芯片厂无法开出足够产能，导致市场供不应求。过去2年DRAM及NAND厂并无兴建新的生产线，今年就算扩大资本支出，新生产线产能也要等到今年第4季后才会开出。

　以DRAM来说，今年首季计算机销售成绩不佳，需求主要来自于采用标准型DRAM的国内白牌平板，推升现货价一路拉高，而3月因进入ODM/OEM厂的备货旺季，在市场供给量不足的情况下，ODM/OEM厂拉高采购价格区间，因此推升3月下旬DRAM合约价大涨。

　NAND芯片市场同样呈现供不应求，主要是受惠于行动装置及Ultrabook开始采用高容量eMMC或固态硬盘（SSD），大幅去化NAND产能。3月以来，因为MLC颗粒供给缺口扩大到3成，现货价不到半个月大涨逾20％，NAND厂将产能移转生产MLC，更导致TLC芯片在现货市场几乎断货，32Gb TLC NAND颗粒现货价半个月内已涨一倍。